BSC750N10ND G
Infineon Technologies
Deutsch
Artikelnummer: | BSC750N10ND G |
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Hersteller / Marke: | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) |
Teil der Beschreibung.: | BSC750N10ND G Infineon Technologies |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
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5000+ | $0.5277 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 12µA |
Supplier Device-Gehäuse | PG-TDSON-8 |
Serie | OptiMOS™ |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 75 mOhm @ 13A, 10V |
Leistung - max | 26W |
Verpackung | Tape & Reel (TR) |
Verpackung / Gehäuse | 8-PowerVDFN |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Surface Mount |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 720pF @ 50V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 11nC @ 10V |
Typ FET | 2 N-Channel (Dual) |
FET-Merkmal | Standard |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 100V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 3.2A |
BSC750N10ND G Einzelheiten PDF [English] | BSC750N10ND G PDF - EN.pdf |
BSC8816N03LS G Original
BSC60025NS3G INFINEON
BSC600N25NS3 infineon/
BSC600N25NS3G infineo
INFINEON DFN-856
BSC750N10NS3G INFINEON
MOSFET N-CH 250V 25A TDSON-8-1
BSC750N10NDG INFINEON
INFINEON TDSON8
MOSFET N-CH 250V 24A TDSON-8-1
MOSFET 2N-CH 100V 3.2A 8TDSON
INFINEO QFN-8
Infineon QFN8
MOSFET N-CH 250V 25A TDSON-8
INFINEON TDSON-8
INFINEON QFN
BSC750N10ND INFINEO
2024/09/9
2024/12/17
2024/08/25
2024/01/31
BSC750N10ND GInfineon Technologies |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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